Vom 18. bis 22. September wird AVANCIS auf der 40. EUPVSEC in Lissabon vertreten sein. Unsere Kollegen aus der Forschung und Entwicklung zeigen neueste Resultate, die demonstrieren, dass CIGS sehr gut mit den etablierten Siliziumtechnologien mithalten kann.

Marko Stölzel, Manager New Processes III, präsentiert am Donnerstag, den 21. September die neuesten Weiterentwicklungen unseres CIGSSe Absorbers, welche unseren Weltrekord von 20,3% in diesem Jahr ermöglichten. Im Absorber wird das einfallende Licht in elektrischen Strom umgewandelt. Er absorbiert die Photonen, aus denen das Licht besteht. Dank einer neuen Zusammensetzung und Verteilung der verschiedenen Elemente, aus denen unserer Absorber besteht, erfolgt dies nun mit einer höheren Effizienz. Mit über 20 % ist die Dünnschichttechnologie damit im Bereich der Siliziumtechnologie angekommen.

Wie die Leistung unserer Module durch Verschattungen beeinflusst wird und wie vergleichbar der Leistungsverlust von Silizium-Modulen dazu ist, präsentiert Janina Moereke, Development Engineer, ebenfalls am Donnerstag. Während Effizienzen unter Standard Testbedingungen gemessen werden, variiert die Einstrahlung in einem realen System mit dem Sonnenstand, aber auch durch mögliche Verschattungen durch andere Gebäude oder Vegetation. Für einige Geometrien der Teilverschattung konnten unsere CIGS-Module sogar einen niedrigeren Leistungsverlust vorweisen als die getesteten Silizium -Module.

Wir freuen uns darauf, uns mit anderen Photovoltaik-Experten auszutauschen, neue Erkenntnisse der Forschungsinstitute und Industriepartner zu entdecken und weitere Inspirationen für unsere Entwicklung der CIGS-Technologie für neue Anwendungen zu gewinnen.